Приветствую Вас, Гость! Регистрация

Персональный сайт Пьяных А.В.

Суббота, 25.06.2022


Главная » Радиодетали, модули, компоненты » Радиодетали » Транзисторы

В категории материалов: 4
Показано материалов: 1-4

Сортировать по: Дате · Названию · Рейтингу · Комментариям · Загрузкам · Просмотрам

Биполярный PNP транзистор BC640 (комплиментарная пара для него - BC639)

Ссылка на Али (поиск Али)

  • Collector-Emitter Voltage 80V
  • Emitter-Base Voltage 5V
  • Collector Current 1A

   BC639 и BC640 удобно применять в качестве драйвера для управления не очень мощными MOSFEET транзисторами от микроконтроллеров. 

Транзисторы | Просмотров: 1022 | Загрузок: 64 | Добавил: Zlitos | Дата: 05.09.2016 | Комментарии (0)

Биполярный NPN транзистор BC639 (комплиментарная пара для него - BC640)

Ссылка на Али (поиск Али)

  • Collector-Emitter Voltage 80V
  • Emitter-Base Voltage 5V
  • Collector Current 1A

   BC639 и BC640 удобно применять в качестве драйвера для управления не очень мощными MOSFEET транзисторами от микроконтроллеров. 

Транзисторы | Просмотров: 967 | Загрузок: 67 | Добавил: Zlitos | Дата: 05.09.2016 | Комментарии (0)

  Популярный, мощный MOSFET транзистор IRF3205. Хорошо зарекомендовал себя в мощных преобразователях.

Ссылка на Али (поиск Али)

  • ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V - 110А 
  • ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 80 A
  • IDM Pulsed Drain Current 390А
  • PD @TC = 25°C Power Dissipation - 200 W
  • Linear Derating Factor 1.3 W/°C 
  • VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V
  • Input Capacitance - 3247 pF
  • Output Capacitance - 781 pF
  • Reverse Transfer Capacitance - 211 pF
Транзисторы | Просмотров: 851 | Загрузок: 65 | Добавил: Zlitos | Дата: 02.09.2016 | Комментарии (0)

MOSFEET транзистор IRFZ48N

Ссылка для покупки (Aliexpress).

 
  • Drain-Source Voltage VDS - 60 V 
  • Gate-Source Voltage VGS ± 20 V
  • Continuous Drain Current TC = 25 °C - 50A, TC = 100 °C - 50A
  • Pulsed Drain Currenta IDM - 290A
  • Maximum Power Dissipation TC = 25 °C PD - 190 W 
  • Peak Diode Recovery dV/dtc dV/dt 4.5 V/ns 
  • Total Gate Charge Qg - 110nC
  • Gate-Source Charge Qgs - 29 nC
  • Gate-Drain Charge Qgd - 36 nC
Транзисторы | Просмотров: 888 | Загрузок: 107 | Добавил: Zlitos | Дата: 01.09.2016 | Комментарии (0)